Фотоэлектрический эфект Основные формулы

• Формула Эйнштейна:

а) в общем случае

ε = = A+Tmax , или ħw =A+Tmax ,

где ε = = ħw —энергия фотона, падающего на поверхность метал­ла; А — работа выхода электрона из металла; Tmax — максималь­ная кинетическая энергия фотоэлектрона;

б) в случае, если энергия фотона много больше работы выхода (>>A),

= Tmax , или ħw = Tmax .

Комбинационные устройства Введение в цифровую электронику

Максимальная кинетическая энергия фотоэлектрона в двух слу­чаях (нерелятивистском и релятивистском) выражается различными формулами:

а) если фотоэффект вызван фотоном, имеющим незначительную энергию (= ħw=5 кэВ), то

Tmax = ½ m0v2max ,

где m0 масса покоя электрона;

б) если фотоэффект вызван фотоном, обладающим большой энер­гией (= ħw=>>5 кэВ), то

Tmax= (m- m0)c2, или

 

 

 Парадоксальное поведение микрочастиц Эксперименты по дифракции частиц вынуждают констатировать наличие парадокса: - «электрон – это одновременно частица и волна».

где β = vmax/c — масса релятивистского электрона.

• Красная граница фотоэффекта

λ0=hc/A или λ0=2π ħc/A; υ0=A/h или w0=A/ ħ , 

где λ0 — максимальная длина волны излучений (υ0 и w0 — мини­мальные соответственно частота и круговая частота), при которых еще возможен фотоэффект

При контакте двух полупроводников с разным типом проводимости образуется область, обедненная носителями тока, так называемый р-п-переход. Если р-п-переход не освещен, то между полупроводниками возникает контактное электрическое поле, направленное от п-полупроводника к р-полупроводнику. На границе р- и п- области образуется потенциальный барьер, который препятствует движению основных носителей – электронов из п-области в р-область и дырок в противоположном направлении. Неосновные носители (дырки в п-области и электроны в р-области) могут быть увлечены полем р-п-перехода, образуя тем самым ток неосновных носителей.
Физика, математика лекции учебники курсовые студенту и школьнику