Пример 1. Источник монохроматического света с длиной волны λ0=600 нм движется по направлению к наблюдателю со скоростью v=0,1с (с—скорость распространения электромагнитных волн). Определить длину волны λ излучения, которую зарегистрирует спектральный прибор наблюдателя.
Решение. В системе отсчета, связанной с наблюдателем, спектральный прибор зарегистрирует электромагнитное излучение частоты
(1)
Достоинства и недостатки использования микроволнового диапазона. Электромагнитные колебания микроволнового и оптического диапазонов обладают целым рядом специфических особенностей и свойств, отличающими их от смежных участков спектра. На сверхвысоких частотах длина волны соизмерима с линейными размерами физических тел. Геометрические размеры схемотехнических элементов аппаратуры, в том числе и антенн, также оказываются соизмеримыми с длиной волны и могут значительно превышать ее. Поэтому волны диапазона СВЧ обладают квазиоптическими свойствами, т. е. по характеру распространения приближаются к световым волнам. Наряду с этим принципы работы СВЧ устройств в значительной мере определяются явлениями дифракции и не могут непосредственно использовать законы геометрической оптики, а также законы обычных электрических цепей.
где vo — собственная частота монохроматического излучения источника; β=v/c; J — угол между вектором v и направлением наблюдения, измеренный в системе отсчета, связанной с наблюдателем.
Основы теории Максвелла
для электромагнитного поля Вихревое электрическое поле Из закона Фарадея (см.
(123.2)) =–dФ/dt следует, что любое изменение сцепленного
с контуром потока магнитной индукции приводит к возникновению электродвижущей
силы индукции и вследствие этого появляется индукционный ток. Следовательно,
возникновение э.д.с. электромагнитной индукции возможно и в неподвижном контуре,находящемся
в переменном магнитном поле.
Выразим частоты v и v0 через длины волн λ и λ0: v=c/λ и v0=c/λ0 Заметив,
что в нашем случае = π(cos = -1), перепишем формулу (1) с учетом последних соотношений:
откуда
Подставим значения β(β =v/c=0,1) и λ0 в полученное выражение и произведем вычисления: Электрофизические свойства различных полупроводниковых структур определяют принципы действия подавляющего большинства интегральных микросхем (ИМС). На границе раздела между двумя различными по типу электропроводности полупроводниками или между полупроводником и металлом возникают потенциальные барьеры, что является следствием перераспределения концентрации подвижных носителей заряда между контактирующими материалами.
λ = 542 нм.
Геометрическая оптика изучает законы распространения света в прозрачных средах, основываясь на представлении о световых лучах. Под световым лучом понимают линию, указывающую направление распространения световой энергии. С помощью световых лучей легко объясняются законы геометрической оптики: прямолинейного распространения света, его отражения и преломления. Как показывают наблюдения, в однородной среде свет распространяется прямолинейно. Прямолинейным распространением света объясняется образование теней, т. е. областей, в которые не поступает световая энергия. Тень наблюдается в том случае, когда линейными размерами источника можно пренебречь по сравнению с расстояниями, рассматриваемыми в данной задаче.
Физика, математика лекции учебники курсовые студенту и школьнику |